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    紅外熱像與熱輻射測量綜合實驗

    RLE-SA04 紅外熱像與熱輻射測量綜合實驗

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    實驗簡介

    紅外熱像技術已經在電力系統、土木工程、汽車、冶金、石化、醫療等諸多行業得到廣泛應用。本實驗系統緊扣教學核心知識點,并結合工程實際應用,通過光電轉換、信號處理等手段,檢測目標物體輻射與溫度分部之間的對應聯系,并將之轉換為圖像信息,從而直觀的實現目標物輻射測量。旨在讓學生理解并掌握熱輻射的基本定律,以及紅外成像的工作原理和測量方法,是光電相關專業理想的教學實驗系統。

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    實驗內容

    1、黑體輻射特性研究實驗;
    2、驗證維恩位移定律;
    3、熱發射率影響因素研究實驗;
    4、熱發散率的測量。


    知識點

    普朗克輻射定律、斯特潘-波爾茲曼定律、維恩位移、光學系統調制函數、溫度分辨率、*小可分辨溫差、光電轉換。

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    選配設備參數

    計算機(基本配置)。

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    主要設備參數

      1.黑體標準源:

      工作溫度: 0~50℃,傳感器: Pt100鉑電阻,控溫方式: PID,電源電壓:220V,溫度范圍:室溫-60℃,分辨率: 0.1℃,發射率: >0.97,升溫時間:100℃≤30分鐘。

      2.紅外熱像儀:

      探測器類型:光讀出非制冷焦平面,分辨率: 80×60,波長范圍: 7.5~14um,視場角: 41°×31°,熱靈敏度(NETD): <0.1℃,調焦方式:免調焦,*大幀頻: 9Hz,測溫范圍: -10℃~+150℃,精度: ±2℃或±2%,取較大值,輻射率校正: 0.1至1.0可調,背景溫度校正;根據輸入環境溫度自動校正;工作溫度: -10℃~+50℃,存儲溫度: -20℃~+60℃,濕度:相對濕度≦85%(非冷凝);觸摸屏:熱圖像:可見光圖像: MSX多波段動態成像;圖庫。

      3.電路修復裝置:

      發熱異常探測與修復,發熱異常溫度: 30℃~60℃。

      4.發熱待測裝置:

      驅動電壓40V,發熱面積: 16cm2,設置溫度范圍:室溫~60℃,*高可達400℃。

      5.濾光器:

      HR@380nm~780nm, AR@7μm~14μm; AR@380nm~780nm, HR@7μm~14μm。

      6.精密光學導軌:

      L×W=600mm×90mm,配套滑塊,調節支座、支桿。

      7.實驗手冊及保修卡。


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